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Intel、45nmプロセスの「Penryn」の試作に成功 

intelは、45nmプロセスで製造される次世代CPU「Penryn」の試作に成功したと発表しました

今回公開された試作品はデュアルコアCPUの試作品のようで、公開されたCPUダイの写真を見ても2つのコアが確認できますね
20070130053638.jpg
公開された「Penryn」のダイ

「Penryn」は、Core 2シリーズと同じCoreマイクロアーキテクチャをベースに、さらに改良が加えられています

主な改良点は、キャッシュ容量の増大と新命令セット「SSE4」の実装となっています

キャッシュ容量は、最大で12MBまで搭載出来るそうなのでかなりの性能向上が期待できますね

すでにこの試作品により、「Windows 2000/XP/VistaおよびLinuxなどのOSやソフトの作動が確認された」としており、実用化にむけた開発が順調に進んでいると思われます

また「Penryn」では、現行のゲート絶縁膜の材料である二酸化シリコンの代わりに、High-k(高誘電率)ゲート絶縁膜という新しいゲート絶縁膜を採用、さらに現在のポリシリコンゲートではうまくHigh-kゲート絶縁膜が作動しないため、新たに金属ゲートを採用しています

Intelは、「High-kゲート絶縁膜と金属ゲートの組み合わせで、トランジスタのスイッチング速度は約20%向上、同等性能であればソースドレインのリーク電流を5倍以上抑えられる」としています

このことから、次世代CPUでは消費電力の削減と、作動クロックの向上が望めそうですね

なお同時期にIBMからも、AMD・ソニー・東芝と共同で同じような技術を開発したと発表しています

次世代45㎚プロセスの製品は、IntelもAMDもほとんど同じ製造方法となりそうですね

あとは、どれだけの消費電力削減と性能向上ができるかで、両社のCPU製品の人気が決まってきそうです

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[2007/01/30 06:27] パソコンパーツ情報 | TB(0) | CM(0)

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